Name: H5PS5162FFR-G7C H5PS1G63JFR-Y5J H5TQ4G63CFR-TEC ชิป IC หน่วยความจำแฟลช
Brand: Hynix
SKU: IC หน่วยความจำ Hynix

บ้าน ผลิตภัณฑ์ชิป IC หน่วยความจำแฟลช

H5PS5162FFR-G7C H5PS1G63JFR-Y5J H5TQ4G63CFR-TEC ชิป IC หน่วยความจำแฟลช

H5PS5162FFR-G7C H5PS1G63JFR-Y5J H5TQ4G63CFR-TEC Flash Memory IC Chip

รายละเอียดสินค้า:

สถานที่กำเนิด:	เกาหลีใต้จีน
ชื่อแบรนด์:	Hynix
ได้รับการรับรอง:	CE RoHS
หมายเลขรุ่น:	IC หน่วยความจำ Hynix

การชำระเงิน:

จำนวนสั่งซื้อขั้นต่ำ:	100PCS
เงื่อนไขการชำระเงิน:	T / T, Wester N Union, MoneyGram

ติดต่อ

รายละเอียดสินค้า

ชื่อผลิตภัณฑ์:

วงจรรวม

ยี่ห้อ:

SK Hynix

บรรจุภัณฑ์:

แพคเกจเดิม

MOQ:

100PCS

แสงสูง:

H5PS5162FFR-G7C

H5PS1G63JFR-Y5J

H5TQ4G63CFR-TEC

SK Hynix หน่วยความจำ IC

SK Hynix Memory IC ชิปวงจรรวมส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์

SK hynix Inc. เป็นผู้จัดหาเซมิคอนดักเตอร์หน่วยความจำของเกาหลีใต้สำหรับชิปหน่วยความจำเข้าถึงโดยสุ่มแบบไดนามิกและชิปหน่วยความจำแฟลชHynix เป็นผู้ผลิตชิปหน่วยความจำรายใหญ่อันดับสองของโลกและเป็น บริษัท เซมิคอนดักเตอร์รายใหญ่อันดับ 3 ของโลกก่อตั้งขึ้นในชื่อ บริษัท ฮุนไดอิเล็คทรอนิกส์อินดัสเตรียล จำกัด ในปี 2526 และรู้จักกันในชื่อฮุนไดอิเลคทรอนิคส์ บริษัท มีโรงงานผลิตในเกาหลีสหรัฐอเมริกาจีนและไต้หวันในปี 2555 เมื่อ SK Telecom กลายเป็นผู้ถือหุ้นรายใหญ่ Hynix ได้รวมกิจการกับ SK Group

เรา ETSE นำเสนอส่วนประกอบ SK hynix IC ทุกชนิดเช่น IC แบบดิจิทัล, IC แบบอะนาล็อก, IC เครื่องขยายเสียง, IC Sound TV และอื่น ๆ

SK hynix IC
หมายเลขรุ่น	คำอธิบาย	หมายเลขรุ่น	คำอธิบาย
HY5PS1G1631CFP-Y5C	64M X 16 DDR DRAM, PBGA84	HY62256ALP-70	Static RAM, 32Kx8, 28 Pin, Plastic, DIP28
HY57V641620ETP-6	SDRAM, 4M x 16, 54 Pin, Plastic, TSOP54	H5TQ2G83BFR-H9C	256M X 8 DDR DRAM, 20 ns, PBGA82
HY57V161610FTP-7	1M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PDSO50	H5TQ1G63EFR-PBC	DDR DRAM, 64MX16, CMOS, PBGA96
H5TQ4G63CFR-TEC	ชิป DRAM DDR3 SDRAM 4G-Bit 256Mx16 1.5V 96-Pin F-BGA	H5TC2G63GFR-PBA	ชิป DRAM DDR3L SDRAM 2G-Bit 128Mx16 1.35V 96-Pin F-BGA
H5TQ2G63DFR-PBC	SDRAM, DDR3, 2GB (X16), 96FBGA	H5TQ1G63DFR-11C	64M X 16 DDR DRAM, PBGA96
H5PS5162GFR-Y5J	DDR DRAM, 32MX16, 0.45NS, CMOS, PBGA84	H5TQ1G63DFR-H9C	64M X 16 DDR DRAM, PBGA96
H5PS5162FFR-Y5C	32M X 16 DDR DRAM, 0.45 ns, PBGA84	H5PS5162GFR-S6C	SDRAM, DDR2, 512MB (X16), 84FBGA
H5PS5162FFR-G7C	DDR DRAM, 32MX16, 0.35NS, CMOS, PBGA84	H5PS1G83JFR-S6C	SDRAM, DDR2, 1G (128MX8), 60FBGA
H5PS1G83EFR-G7CR	ชิป DRAM DDR2 SDRAM 1G-Bit 128M x 8 1.8V 60-Pin FBGA	H5PS1G63KFR-S6C	ชิป DRAM DDR2 SDRAM 1G-Bit 64Mx16 1.8V 84-Pin FBGA
H5PS1G63JFR-S5C	SDRAM, ไอซีหน่วยความจำ DDR2 DRAM, 1GB (X16), 84FBGA - ซิงโครนัส, การกำหนดค่าหน่วยความจำ DRAM: 64M x 16 บิต, เวลาการเข้าถึง: -, ขนาดหน้า: 16Kbit, จำนวนพิน: 84 พิน	H5PS1G63EFR-S5C-C	ชิป DRAM DDR2 SDRAM 1G-Bit 64M x 16 1.8V 84-Pin FBGA
H5AN4G6NAFR-UHC	ชิป DRAM DDR4 SDRAM 4G-Bit 256Mx16 1.2V 96-Pin F-BGA	H5PS1G63EFR-Y5C	DDR DRAM, 64MX16, 0.45NS, CMOS, PBGA84
H5PS1G63JFR-Y5J	DDR DRAM, 64MX16, 0.45NS, CMOS, PBGA84	H5PS1G63EFR-S6C	SDRAM, DDR2, 1GB (X16), 84FBGA
H5PS1G63JFR-G7C	DDR DRAM, 64MX16, 0.35NS, CMOS, PBGA84	รุ่น H55S5122EFR-60M	SDRAM, มือถือ, 512MB, 166MHZ, 90FBGA
H27U1G8F2BFR-BC	NAND Flash Serial 3.3V 1Gbit 128M x 8bit 25000ns 63-Pin FBGA	H9TP18A8LDMCNR-KDM	IC ส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์

นอกจากนี้เรา ETSE ยังซื้อสินค้าล้นสต๊อกส่วนเกินส่วนเกินสินค้าที่เลิกผลิตและสินค้าคงคลังอิเล็กทรอนิกส์ที่ล้าสมัยเรามีความสนใจใน IC ตัวเก็บประจุและส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์อื่น ๆ ทุกชนิดที่คุณอาจมีสำหรับคลังสินค้าลดราคา

H5PS5162FFR-G7C H5PS1G63JFR-Y5J H5TQ4G63CFR-TEC ชิป IC หน่วยความจำแฟลช 0